Tranzistor koji radi na 600 Celzijevih stupnjeva

Više od dva desetljeća, silicijev karbid SiC, promovira se kao ključ za razvoj elektronike za ekstremne uvjete. Unatoč obećanju, područje je ostalo zaglavljeno u fazi temeljnih istraživanja, do sada ne uspijevajući rezultirati razvojem praktičnih uređaja. Sada je tim istraživača sa Sveučilišta u Kyotu napravio veliki iskorak.
„Vjerujemo da je nedostatak razvoja posljedica toga što istraživačka zajednica pokušava primijeniti razmišljanje iz silicijske ere na fundamentalno drugačiji materijal“, kaže Mitsuaki Kaneko, prvi autor novog rada objavljenog u časopisu APL Electronic Devices ....
- Objavljeno u Znanost








