Susret grafena s poluvodičem
Novo istraživanje provedeno na Sveučilištu u Wisconsinu otkrilo je nove karakteristike prijenosa elektrona u dvodimenzionalnom sloju grafena položenog na vrh poluvodiča. Istraživači su demonstrirali da kada su elektroni preusmjereni na sučelje grafena i podloge poluvodiča susreću se s nečim što se zove Schottky barijera.
Grupa istraživača pod vodstvom profesora fizike Lian Lia i Michaela Weinerta te studentice poslijediplomskog doktorskog studija Shivani Rajput, proveli su eksperiment s poluvodičem silicijevim karbidom , te su zaključili da su ti valovi analogni valovitosti papira koje...
- Objavljeno u Znanost