Počela masovna proizvodnja najbrže DRAM memorije

Tvrtka Samsung Electronics objavila je početak masovne proizvodnje prvog 4 GB DRAM-a koji se temelji na drugoj generaciji High Bandwidth Memory ( HBM2 ) sučelja, te će se koristiti u HPC-u (računalstvo visokih performansi), superračunalima, naprednim grafičkim i mrežnim sustavima, kao i u enterprise serverima.
Novi 4 GB HBM2 DRAM koristi Samsungovu 20-nanometarsku tehnologiju proizvodnje i napredan dizajn HBM čipa, čime bi, kako kažu, trebao udovoljiti zahtjevima za visokim performansama, energetsku učinkovitost i malim dimenzijama, što će ga učiniti pogodnim...
- Objavljeno u Novosti










