Toshiba najavila 3D flash memoriju od 96 slojeva
- Objavljeno u Novosti
Toshiba Memory Corporation je najavio dolazak nove 96-slojne BiCS FLASH 3D NAND memorije složene u stogu (stacked) koja će se pojaviti na tržištu tijekom 2018 godine. Ona će omogućiti SSD diskovima i drugim proizvodima s flash memorijom 40 posto više pohrane u odnosu na 64-slojni NAND koji su počeli proizvoditi WD i Toshiba prošli mjesec te će utjecati i na smanjenje cijena flash memorije.
Uzorci nove memorije će se isporučivati Toshibinim partnerima u drugoj polovici ove godine, a stići će u obliku čipova od 256 gigabita (32 gigabajta). Novi proizvodi s ovom memorijom naći će se u SSD-ovima, pametnim telefonima, tabletima i memorijskim karticama.
Pored toga Toshiba navodi kako će u skoroj budućnosti svoju 96-slojnu tehnologiju proizvodnje donijeti i u proizvode s većim kapacitetima od 512 gigabita (64 GB) QLC (quadruple-level cell) tehnologije.
Glavna stvar s ovom memorijom zbog koje će biti zanimljiva korisnicima i proizvođačima uređaja je što smanjuje troškove izrade po bitu, te povećava proces proizvodnje memorijskog kapaciteta po waferu silicija.
Nova 96-slojna BISC Flash memorija će se proizvoditi u tvornici Yokkaichi Operations, u postojećem pogonu Fab 5, novom pogonu Fab 2 te pogonu Fab 6 koji se otvara u ljeto iduće godine.