Samsung najavljuje HBM4 memoriju za 2025
- Objavljeno u Novosti
Do sada smo već čuli neke glasine o novoj HBM4 memoriji, a sada je Samsungov voditelj DRAM proizvoda SangJoon Hwang (slika gore) u svojem službenom blogu otkrio da će HBM4 biti predstavljen do 2025. godine. Nova memorija će imati 2048-bitno sučelje po stacku, dvostruko šire od HBM3.
"Očekuje se da će HBM4 biti uveden do 2025. s tehnologijama optimiziranim za visoka toplinska svojstva u razvoju, kao što su NCF i HCB", navodi SangJoon Hwang.
Ranije ove godine Micron je otkrio da će se HBMNext memorija pojaviti oko 2026. godine, pružajući kapacitete po stacku između 32 GB i 64 GB i vršnu propusnost od 2 TB/s po stacku ili više, što je značajno povećanje u odnosu na HBM3E 1,2 TB/s po stacku.
Kako bi proizveo HBM4, Samsung će morati poboljšati nekoliko novih tehnologija koje je spomenuo SangJoon Hwang. Jedna od njih zove se NCF (non-conductive film) i polimerni je sloj koji štiti TSV-ove na mjestima lemljenja od izolacije i mehaničkih udara.
Druga je HCB (hybrid copper bonding), što je tehnologija spajanja koja koristi bakreni vodič i izolator oksidnog filma umjesto konvencionalnog lemljenja kako bi se smanjila udaljenost između DRAM uređaja kao i omogućila manja neravnina potrebna za 2048-bitno sučelje.
Hwang kaže da će nove tehnologije biti prvenstveno razvijane kako bi odgovorile na zahtjeve razdoblja AI-ja.