Predstavljen prvi 512 GB DDR5 HKMG modul na svijetu
- Objavljeno u Novosti
Samsung je objavio da je proširio svoju ponudu DDDR5 DRAM memorije prvim 512 GB DDR5 modulom na svijetu koji se temelji na High-K Metal Gate (HKMG) tehnologiji.
Nova memorija donosi dvostruke performanse u odnosu na DDR4 i propusnost veću od 7.200 megabita u sekundi, a Samsung kaže da će se bez problema nositi s najekstremnijim radnim računalnim opterećenjima u superračunarstvu, umjetnoj inteligenciji i strojnom učenju, kao i u aplikacijama za analitiku podataka.
"Samsungov DDR5 koristit će vrlo naprednu HKMG tehnologiju koja se tradicionalno koristi u logičkim poluvodičima. Zamjenom izolatora s HKMG materijalom, Samsungov DDR5 postići će nove rekorde u performansama, dok će istovremeno trošiti približno 13% manje energije, što ga čini posebno pogodnim za podatkovne centre u kojima energetska učinkovitost postaje sve kritičnija", objašnjava tvrtka.
Modul koristi TSV tehnologiju za slaganje ukupno osam različitih DRAM čipova od 16 GB u module od 512 GB.
Samsung je uzorke počeo isporučivati kupcima na provjeru i certificiranje za njihove potrebe u umjetnoj inteligenciji, strojnom učenju, "exascale računarstvu", analitici, umrežavanju i drugim radnim opterećenjima koja zahtijevaju obradu velikih količina podataka.