Počela masovna proizvodnja najbrže DRAM memorije

Tvrtka Samsung Electronics objavila je početak masovne proizvodnje prvog 4 GB DRAM-a koji se temelji na drugoj generaciji High Bandwidth Memory (HBM2) sučelja, te će se koristiti u HPC-u (računalstvo visokih performansi), superračunalima, naprednim grafičkim i mrežnim sustavima, kao i u enterprise serverima.

Novi 4 GB HBM2 DRAM koristi Samsungovu 20-nanometarsku tehnologiju proizvodnje i napredan dizajn HBM čipa, čime bi, kako kažu, trebao udovoljiti zahtjevima za visokim performansama, energetsku učinkovitost i malim dimenzijama, što će ga učiniti pogodnim za ugradnju u HPC sustave i grafičke kartice.

Novi DRAM omogućuje propusnost od 256 GBps, što je dvostruko više od HMB1 DRAM-a, a Samsung kaže da je to ekvivalent sedmerostrukog povećanja 36 GBps propusnosti 4 Gb GDDR5 čipa, koji se nalazi među najbržim dostupnim DRAM čipovima. Pored toga, novi HBM2 povećava energetsku učinkovitost dvostrukom propusnošću po vatu u odnosu na 4 Gb GDDR5 rješenja, te uključuje ECC (error-correcting code) značajku koja donosi visoku pouzdanost.

Samsung također navodi da će tijekom ove godine započeti i masovnu proizvodnju 8 GB HBM2 DRAM-a. 

Izvor: Samsung